基本信息                                                                          

姓名：夏建新

性别：男  

出生年月：1963年4月  

最高学位：博士  

授予单位：大阪大学  

研究方向：氮化镓和硅功率电子器件、超大规模集成电路工艺方面

教育与工作经历                                                                          

2000年6月晋升为教授。

2000.1-至今：电子科技大学  教学、研究

1995.10-1999.11：日本大阪大学  从事研究。

1987.6-1995.10：电子科技大学微电子所  工作，从事半导体功率器件研究。

1987.6：西安交通大学电子工程系  获工学硕士学位。

1984.7：四川大学物理系半导体专业  获理学学士学位。

学术专长及代表性学术成果概况：

长期从事硅功率MOS器件的研究，参加了包括国家攻关项目、自然科学基金重点项目在内的多个项目的研究工作，完成的科研课题"矩形槽栅功率MOS晶体管"和"高压器件的电阻场板、钝化膜与表面横向变掺杂终端技术"分别获电子部科技进步三等奖。从一九九五年开始，从事超大规模集成电路工艺研究，重点在集成电路可靠性、超浅结形成及其工艺模拟、离子注入缺陷和杂质原子的相互作用等方面。作为项目负责人，承担过国家自然科学基金和军事电子预研基金项目。有多篇论文在J.Appl.Phys.，Jpn.J.Appl.Phys.，The Transactions of IEICE，International Electron Devices Meeting等刊物和国际会议文集上发表。